图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 ATP108 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 70A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10.4 mOhm @ 35A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 79.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3850pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | ATPAK (2 leads+tab) |
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3ATPAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| RDS -于 | 10.4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 340 ns |
| 典型下降时间 | 290 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 7.3 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.5 |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 10.4@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | ATPAK |
| 包装长度 | 6.5 |
| PCB | 2 |
| 最大连续漏极电流 | 70 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 70A (Ta) |
| 封装/外壳 | ATPAK (2 leads+tab) |
| 供应商设备封装 | ATPAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10.4 mOhm @ 35A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3850pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 79.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 869-1076-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 40 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Qg - Gate Charge | 79.5 nC |
| 下降时间 | 290 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 65 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.4 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | ATP108 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 上升时间 | 340 ns |
| 技术 | Si |
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